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世界级存储器基地落户武汉 总投资达240亿美元

发布时间:2016-03-28 来源:中国新闻网 850
  3月28日,总投资240亿美元(约1600亿元人民币)的中国国 家级存储器基地项目,28日在武汉东湖高新区开工建设。
  当天开建的中国国 家级存储器基地项目,位于武汉东湖高新区的光谷智能制造产业园,建设内容包括芯片制造、产业链配套等,将在5年内投资240亿美元,预计到2020年形成月产能30万片的生产规模,到2030年建成每月100万片的产能,进而成为世 界 级的存储器基地。
  该项目建成后,可以带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,集合已经在武汉东湖高新区形成规模的显示产业(天马、华星光电)、智能终端(华为、联想、富士康)等产业,打造万亿级的芯片-显示-智能终端全产业链生态体系,将成为中国乃至全球最密集的电子信息产业基地。
  2006年,为推动中国集成电路产业发展,加速存储器基地项目建设,湖北省、武汉市和东湖高新区投资100亿元人民币建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目。经过10年的打造,武汉新芯已成为中国唯 一以存储器为主的集成电路制造企业。
  在此基础上,湖北省、武汉市、东湖高新区共同设立了500亿元人民币湖北集成电路产业专属投资基金,用于存储器生产研发以及产业链上下游项目建设。目前,武汉东湖高新区初步形成了涵盖设计、制造、封装等比较完整的产业链,成为中国重要的集成电路产业聚集区之一。

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